Schukat präsentiert ultraschnelle Dioden

Infineons 650V Rapid 1 und Rapid 2 Hyperfast-Dioden der Serien IDP, IDV und IDW sind die idealen Partner für Coolmos-Mosfets oder diskrete IGBTs wie Trenchstop 5. Sie bieten ein gutes Preis-Leistungsverhältnis in AC/DC-Topologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) sowie beim Einsatz als Freilaufdioden in DC/DC-Topologien. Die Rapid-1-Familie ist Vf optimiert für Schaltfrequenzen zwischen 18 und 40 Kilohertz, während Rapid 2 Q_rr optimiert ist, um herausragende Leistung zwischen 40 und 100 Kilohertz zu ermöglichen. Beide Infineon-Diodenserien zeichnen sich durch eine 650-Volt-Spannungsfestigkeit für höhere Verlässlichkeit und ein stabiles Temperaturverhalten der wichtigen elektrischen Parameter aus. Für verbesserte E_on-Verluste des Boost-Schalters sorgt die sehr niedrige Rückstromspitze (I_rrm), zudem bedingt ein Softness-Faktor von wesentlich größer als 1 das vorbildliche EMI-Verhalten der Dioden.

Die drei 600V Tandem-Dioden STTH_T gehören zur zweiten Generation an ultraschnellen Tandem-Dioden von ST Microelectronics. Dank minimaler Q_rr weisen sie ultraniedrige Schaltverluste auf, wodurch sie sich für den Einsatz in allen hart schaltenden Anwendungen eignen. Die Tandem-Dioden von STM sind in 8A- und 12A-Ausführungen erhältlich und lassen sich für Schaltfrequenzen bis 100 Kilohertz einsetzen. Alle Modelle sind in den Gehäusebauformen TO220AC, TO220AC-ISO und TO247 ab Lager Schukat verfügbar. jl